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NTD70N03R
3000
2500
C ISS
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
QT
C RSS
2000
1500
C ISS
6
V DD = 10 V
1000
C OSS
4
Q GS
Q GD
500
0
C RSS
2
0
I D = 36 A
T J = 25 ° C
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
0
10 20
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
30
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage versus Total Charge
80
70
60
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
50
40
10
t d(off)
t d(on)
30
1
t f
t r
V DS = 10 V
I D = 36 A
V GS = 10 V
20
10
0
1
10
100
0.4
0.6 0.8
1.0 1.2
1.4
1.6
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
10 m s
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
120
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
100 m s
1 ms
10 ms
dc
80
40
0
0.1
1
10
100
0
50
100
150
200
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
Tmb ( ° C)
Figure 12. Normalized Continuous Drain Current
as a function of Mounting Base Temperature
http://onsemi.com
4
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